Характеристики |
|
Вес | 8 |
Время наработки на отказ | 1500000 ч |
Емкость | 512 ГБ |
Интерфейс | PCI-E |
Интерфейс PCI-E | есть |
Контроллер | Silicon Motion SM2263XT |
Макс. рабочая температура | 70° C |
Назначение | для ноутбука и настольного компьютера |
Объем буфера | 256 МБ |
Поддержка NVMe | есть |
Поддержка TRIM | есть |
Поддержка секторов размером 4 КБ | есть |
Разъем | M.2 |
Разъем M.2 | есть |
Скорость записи | 900 |
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) | 140000 |
Скорость чтения | 1700 |
Суммарное число записываемых байтов (TBW) | 300 |
Тип PCI-E | PCI-E 3.0 x4 |
Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND |
Форм-фактор | 2280 |