Характеристики |
|
| Socket | LGA2011-3 |
| Встроенный контроллер памяти | есть |
| Количество потоков | 16 |
| Количество ядер | 8 |
| Макс. кол-во каналов PCI Express | 40 |
| Максимальная рабочая температура | 74 |
| Максимальная частота с Turbo Boost | 3000 МГц |
| Максимальное количество каналов памяти | 4 |
| Максимальный объем памяти | 1536 ГБ |
| Объем кэша L1 | 512 КБ |
| Объем кэша L2 | 2 МБ |
| Объем кэша L3 | 20 МБ |
| Поддержка Intel vPro | есть |
| Тактовая частота | 2100 МГц |
| Техпроцесс | 14 нм |
| Тип памяти | DDR4 |
| Тип упаковки | OEM |
| Типичное тепловыделение | 85 Вт |
| Частота памяти | 2133 МГц |
| Ядро | Broadwell-EP |
