Характеристики |
|
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 44 |
CAS Latency (CL) | 21 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 21 |
Row Precharge Delay (tRP) | 21 |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Напряжение питания | 1.2 В |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем одного модуля | 128 ГБ |
Поддержка ECC | есть |
Пропускная способность | 23400 МБ/с |
Радиатор | нет |
Тактовая частота | 2933 МГц |
Тип памяти | DDR4 |
Форм-фактор модуля памяти | DIMM |