Характеристики |
|
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 38 |
| CAS Latency (CL) | 16 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 18 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 18 |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем одного модуля | 8 ГБ |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 25600 МБ/с |
| Тактовая частота | 3200 МГц |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор модуля памяти | SODIMM |
