Характеристики |
|
CAS Latency (CL) | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
Буферизованная (Registered) | нет |
Количество контактов | 240 |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Количество чипов каждого модуля | 16 |
Напряжение питания | 1.35 В |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем одного модуля | 8 ГБ |
Поддержка ECC | нет |
Поддержка XMP | нет |
Пропускная способность | 12800 МБ/с |
Радиатор | нет |
Суммарный объем памяти всего комплекта | 8 ГБ |
Тактовая частота | 1600 МГц |
Тип памяти | DDR3L |
Форм-фактор модуля памяти | DIMM |