Характеристики |
|
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 40 |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Количество контактов | 288 |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Количество рангов | 1 |
| Количество чипов каждого модуля | 8 |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Низкопрофильная (Low Profile) | да |
| Объем одного модуля | 8 ГБ |
| Поддержка ECC | нет |
| Поддержка XMP | нет |
| Пропускная способность | 21300 МБ/с |
| Радиатор | нет |
| Тактовая частота | 2666 МГц |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор модуля памяти | DIMM |
