Характеристики |
|
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 32 |
| CAS Latency (CL) | 17 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 17 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 17 |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем одного модуля | 8 ГБ |
| Радиатор | есть |
| Тактовая частота | 3200 МГц |
| Тип памяти | DDR4 |
