Характеристики |
|
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 28 |
CAS Latency (CL) | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Напряжение питания | 1.35 В |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем одного модуля | 2 ГБ |
Поддержка ECC | нет |
Пропускная способность | 12800 МБ/с |
Тактовая частота | 1600 МГц |
Тип памяти | DDR3L |
Форм-фактор модуля памяти | SODIMM |