Характеристики |
|
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 28 |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Количество контактов | 240 |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Количество чипов каждого модуля | 8 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем одного модуля | 4 ГБ |
| Поддержка ECC | нет |
| Поддержка XMP | нет |
| Пропускная способность | 12800 МБ/с |
| Радиатор | нет |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор модуля памяти | DIMM |
