Характеристики |
|
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 42 |
CAS Latency (CL) | 18 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 20 |
Row Precharge Delay (tRP) | 20 |
Количество модулей в комплекте | 2 |
Напряжение питания | 1.35 В |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем одного модуля | 8 ГБ |
Поддержка ECC | нет |
Пропускная способность | 25600 МБ/с |
Радиатор | нет |
Тактовая частота | 3600 МГц |
Тип памяти | DDR4 |
Форм-фактор модуля памяти | DIMM |