Характеристики |
|
| CAS Latency (CL) | 22 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
| Буферизованная (Registered) | да |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем одного модуля | 16 ГБ |
| Поддержка ECC | есть |
| Пропускная способность | 25600 МБ/с |
| Тактовая частота | 3200 МГц |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор модуля памяти | DIMM |